이재용 삼성전자 부회장, 새해 첫 행보 '3나노 반도체 개발 현장'

이서원 기자 승인 2020.01.02 23:01 의견 0
이재용 삼성전자 부회장이 2일 경기 화성사업장 반도체연구소를 찾아 임직원들과 인사를 나누고 있다. [사진=삼성전자]
이재용 삼성전자 부회장이 2일 경기 화성사업장 반도체연구소를 찾아 임직원들과 인사를 나누고 있다. [사진=삼성전자]

 

이재용 삼성전자 부회장의 새해 첫 발걸음은 반도체 연구 현장을 향했다.

삼성전자는 이재용 부회장이 2일 경기도 화성사업장 반도체연구소를 방문했다고 밝혔다.

이 부회장은 이날 삼성전자가 세계 최초로 개발한 3나노 공정기술을 보고 받고, 디바이스솔루션(DS) 부문 사장단과 함께 차세대 반도체 전략을 논의한 것으로 알려졌다.

반도체 개발 현장을 찾은 이 부회장의 새해 첫 경영 행보는 메모리에 이어 시스템 반도체 분야에서도 세계 1위가 되겠다는 비전을 다시 한번 임직원과 공유하며 목표달성 의지를 다진 것으로 풀이된다.

반도체 미세화의 한계를 극복할 수 있는 차세대 기술인 'GAA(Gate-All-Around)'를 적용한 3나노 반도체는 최근 공정 개발을 완료한 5나노 제품에 비해 칩 면적을 약 35% 이상 줄일 수 있으며, 소비전력을 50% 감소시키면서 성능(처리속도)은 약 30% 향상시킬 수 있다고 회사 측은 설명했다.

회사 측에 따르면, 이재용 부회장은 이날 현장에서 "과거의 실적이 미래의 성공을 보장해주지 않는다"며 "역사는 기다리는 것이 아니라 만들어가는 것"이라고 강조했다. 

또한 "잘못된 관행과 사고는 과감히 폐기하고, 새로운 미래를 개척해 나가자"면서 "우리 이웃, 우리 사회와 같이 나누고 함께 성장하는 것이 우리의 사명이자 100년 기업에 이르는 길임을 명심하자"고 당부한 것으로 알려졌다.

 

 

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